Darkside

　Ｐ−ＦＥＴ基板を固定し、主配線も木製台に結束。
　セメント抵抗５０個の＋側配線を、Ｐ−ＦＥＴのドレイン端子にハンダ付け。

　励起ＬＤドライバー出力に、ジャンクパーツのコネクターを接続。
　電気的には完成しているが、物理的には正式な励起ＬＤ接続用の配線が完成していない。だから、暫定コネクターとして余りモノを使った。

　相棒コネクターを、ダミーダイオード側に接続。

　半固定抵抗すべてを、ＧＮＤ側一杯に回しておく。通電の瞬間、ＦＥＴゲートがＧＮＤに落ちた状態になっている。ＦＥＴゲートの許容電位差は、通常のＦＥＴで２０Ｖ程度である。ダミーに使っているのは高耐圧ＦＥＴだが、それでも定格は３０Ｖまで。半固定抵抗の位置が不適切だと、通電の瞬間にゲート電位がオーバーしてＦＥＴ即死だ。

　このような安全面からも、半固定１００ＫΩをいきなり入れるより半固定１０ＫΩと固定１００ＫΩの直列を使うのがベターだった。しかしとにかくあくまでダミーだからの御旗のもと、手抜きした。果たして凶と出ることがあるか・・・

　Ｊ４０７を２個、並列接続する。
　後のハンドリングを考慮し、基板の上にまとめる。
　ヒートシンクを固定するため、放熱面を上にしてある。そのままでは背中が浮くので、厚さ１ミリのポリカーボネイト片をアクリダインで張り合わせて差し込んである。その接着にはアラルダイトを使用。

　多回転型の半固定１００ＫΩが在庫にあるので、ゲート電位調整用に採用。通電したとたんゲート電位が定格を超えるという事故が起きないよう、ボリューム初期位置は確認してある。

　通電確認用のＬＥＤと電流制限抵抗１００ＫΩは、普通に基板にハンダ付け。

　ヒートシンクをネジ止めした基板と、セメント抵抗群から引き出された＋電極配線の束。
　セメント抵抗はＧＮＤ側が上面、＋側が底面になっている。

　土台が木製なので、基板固定穴を開けるのも容易。絶縁性も、１００Ｖ強の世界だから問題なし。

　セメント抵抗群から、ＧＮＤ配線の束を基板に接続。色が混じっているのは、例によって配線消費量の都合。
　ＬＤドライバー出力を接続するための、主配線２本も基板にハンダ付け。

　ヒートシンク固定用のネジ１本が、基板裏側に見えている。
　このヒートシンクは、古くはコンデンサー安全放電用の素子に取り付けていたものである。当時の都合から、ネジ穴が１本開いたままになっている。そのまま流用を重ねて、今ここにある。

　ＧＮＤ配線を接続して行く。

　互いのノイズが共有されるので、普通の回路ではこのような横着はタブーである。しかし作っているのはダミーＬＤに過ぎない。大量の配線を豪勢に分離させる手間と物資は、ペイしない。
　ただし、＋側とは逆側に引き出すことで、個々の抵抗ごとのインダクタンスが揃うよう配慮する。手間は変わらないのだから、それぐらいは考える。

　配線の色が違うのは、特に意味がない。同一色に揃えると、その色の配線だけ消費量が増えるのを嫌っただけ。

　２５ミリのスペーサーで合体させ、鉄アングルで固定。
　３０センチ角のベニヤ板に、ジャストフィット。厚さは５ミリ。

　順調なようだが、ここで大失敗に気付いた。セメント抵抗は１ＫΩが３５個で、８２０Ωが１５個となっている。ところが自分は勘違いして、どっちも２５個ずつだと思い込んでしまっていた。そのため、半固定抵抗の調整表も２５個で計算してある。
　すなわち、あの表は後半が間違っている。

　それだけなら再計算すれば良いが、アルミ角棒にオートウェルドで接着するときも２５個だと思っていた。だから、最初の２本は１ＫΩを揃え、次の１本は左５本が１ＫΩで右５本が８２０Ωになるよう接着した。まずいことに、残るセメント抵抗はすべて８２０Ωと思い込み、確認しなかった。そのため、混じって接着されてしまった。

　５０個のセメント抵抗が、整然と並んだ。位置が若干ズレているが、もちろん大勢に影響はない。ここに扇風機で風を送りながら使えば、焼けることはあるまい。

　通電を示すＬＥＤが一覧し易く、対応する半固定抵抗はアクセスし易い。このような仕上がりをイメージしながら、パーツの足の曲げ方やハンダ付け位置を決めておいた次第・・・ここでドヤ顔しても、後半は１ＫΩと８２０Ωが混ざってしまっている。
　ただ、後半になるほどセメント抵抗１つの影響は小さくなる。混ざっているのを無視して予定通りに調整しても、予定特性からそれほど大きく外れることはない。