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2009年10月27日(火) 21:04

3段目の作り直し

 第2段と第3段は、ほぼ同一条件である。唯一の違いは、放電シミュレーションによると第3段の方がターンオフ時の電流が大きい。つまり、I2t
も大きくなる。
 IGBTの4並列なんてオーバースペックもいいところで、単に I2t 対策で仕方なくここまで並列数を増やしているに過ぎない。つまり、今更IGBTが壊れるのはほぼ
I2t が原因と決まっている。そうなると、更に並列数を増やすしかない。

 第3段の位置は下部に空間が余っているので、6並列でも下部に突き出すように実装すれば問題ない。また、本番では回収先コンデンサーの電圧が下がっており、たぶん4並列でも壊れない。それでも信頼性が上がるから6並列ぐらいなら増やしてもバチは当たるまい。
 最終的なユニットの形をイメージし、足の向きを決める。

 右は、せっかくエポキシで固めたのに壊れてしまったユニット。左が新たに製造したユニット。足の位置に注目。
 ゲート電荷引き抜き抵抗はIGBTが1倍半になったことで、51Ωから36Ω(18Ωの直列)へと変更してある。

 実装前には新造ユニットもトランジスター回りはエポキシで固める。配線が密集しがちであり、外力で短絡する危険が大きいからだ。

 実装したところ。右から1段目、2段目、3段目。
 3段目は下側に突き出し、上側の高さは2段目と揃っている。

written by higashino [コイルガン戦車 1/24] [この記事のURL] [コメントを書く] [コメント(0)] [TB(0)]

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