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　４０５０Ｂだが何だかの手頃な信号ディレイ手段を挿入するという前提で、レーザー制御回路を書き直してみる。
　４０５０Ｂは低速のバッファが６個内蔵されているので、１つのＩＣで最高６段まで直列接続出来る。実際に試してみて、適切な直列段数を決めるつもりだ。低速と言っても遅延は０．１μ秒のオーダーと思われる。ＤＡＴＡの１ビットが０．３μ秒強なので、かなり手頃と判断。

　ＴＴＬレベル入力をＣＭＯＳに接続するため７４ＨＣＴ０４を使用し、同時にインバーターとしても利用する。
　ＷＡＶの右チャンネルを取り出すため、ＷＳをＨＣＴ０４でインバートしＨＣ１７５のクロック入力とする。ＤＡＴＡも遅延を揃えるためＨＣＴ０４でインバートするが、その後に４０５０Ｂによる遅延を加える。このままではＤＡＴＡビットが反転してしまうが、ＨＣ１７５の出力は反転出力も同時に取り出せる。３番ピンの反転出力を利用すれば、ＬＳＢが１で赤レーザーＯＮとなる。
　ＷＡＶの左チャンネルは、ＷＳをＨＣＴ０４で２回インバートすることで非インバートとし、取り出す。ＤＡＴＡも遅延を揃えるため２回通すので、非反転となる。そこで、素直に２番ピンの通常出力を利用しＬＳＢが１で緑レーザーＯＮとなる。

　いずれの場合も、ＷＡＶのＬＳＢが０の場合にレーザーＯＦＦとなるよう揃えたい。これは重要であり、こうすることで光デジタルケーブルが接続されていない場合にレーザーがＯＦＦとなる。つまり、光デジタルケーブルや携帯音楽プレーヤーが、インターロックになるのである。
　緊急時にはケーブルを引っこ抜けば、即座にレーザーが消える。

　またまたモナカをしっかりとネジで結束し、中央の１０ミリ穴を１０．５ミリにボアアップする。

　さすがに５％広げるだけなら楽勝だと思ったが、いざやるととんでもない。素材も加工の容易なアルミなのに、なかなか掘れないのだ。やはり太さ１センチもあるようなドリルは、電動でもハイパワーなものを使い高速回転で攻めねばならないようだ。
　ドリル刃が４５度ほどの急角度で螺旋を描いているのが問題なのだ。非力な電動でトルクを稼ぐため低速回転で使うと、この斜めの刃が内壁に食い込んでしまい、頑として動かなくなる。低速ではこの刃は使えない。だがこんな太いものを高速で回すなら、超騒音の工具になってしまう。

　刃が４５度に食い込んで内壁を荒らしてしまっている。ただ、確かに見た目は荒れてるし指先で触っても荒れているが、凸凹は０．１ミリ以下である。ヤスリでそこそこ整えた上で黒共立の筒を放熱するには一応の役に立ちそうだ。
　さすがに今回は黒筒をピタリと挟み込める穴が掘れた。

　銅ヒートシンクをくっつけるのに、この向きだとモナカの半分は放熱し難くなる。元はアルミモナカを縦置きするつもりだった。そうすれば、モナカのどちら側も銅に放熱出来る。
　しかし、縦置きすれば黒筒と銅の距離は遠くなる。片側のモナカしか有効に銅を活用出来なくなっても、黒筒と銅が近くなればそれほど変わらない性能が出せるんじゃないか？
　もし五十歩百歩ならば、全体の背が低くなるメリットがバカに出来ない。そう考えたのだ。それに、モナカの半分は銅ではなく「床」に放熱させれば良い。

　写真では銅ヒートシンクが下側に置かれているが、実装時はもちろ上側になる。空冷ファンがくっつくのだから。

　赤レーザーが届いた。

　スペックは波長６５０ナノで光出力２００ミリワットという、ありふれた品である。２００ミリワット級ならＤＶＤレーザーを製作する手もあるが、ＤＶＤ用は波長が長く、大抵は６７０ナノくらいになる。そのため、パワーはともかく明るさはいまいち。
　用途がガルボであり、モノを燃やすことではない。従って、大切なのはパワーより見た目の明るさだ。
　・・・などと書いたが既成品最大の価値はコリメート光学系にある。半導体レーザーを輝かせるのは簡単だが、光学系を自前で用意してシャープにコリメートするのは非常に苦労する。

　レーザーダイオードとしてのスペックは、２．２Ｖで３３０ミリアンペア。５Ｖ安定化電源で動作させるために計算すると・・・１００Ωを１２本並列して電流制限してみる。１／６ワット品なので合計２ワットと十分に耐えられるはずだ。
　DAC-AH から５Ｖをいただいてみる。パワーメーターでは１９９ミリワットを示した。思い切り想定通りに輝いている。

　黒共立改と一緒に照らしてみる。５３２ナノは肉眼では８倍明るく見えるので、赤なら５００ミリワット近くに匹敵する。また、肉眼は暗くなると赤の感度が落ちるため、見た目の差は更に大きくなる。
　緑に比べると、赤は光跡が薄くしか見えない。

　２色のレーザーを同じ場所に反射させると、黄色になる。
　しかし、肉眼ではかなり緑に近い・・・黄緑に見える。やや力不足ではあるが、何とか黒共立改の相棒は勤まりそうだ。

　赤の照射点は、土星を真横から見たような横筋が入っている。これは、半導体レーザーをＤＰＳＳではなくダイレクトに使用した場合の特徴でもある。

　ガルボ制御のＷＡＶファイルは、32KHz 44.1KHz 48KHz のいずれも使用可能だ。しかし今やメモリーカードの大容量化が驀進していて、映像ならともかく音声信号でデータ量を気にするのは馬鹿馬鹿しい。常時
48KHz 使用で問題無いと考える。
　この場合、ステレオとして片側の音声１データは 96KHz すなわち 10.42 μ秒で送られる。１ビットあたりだとその１６分の１だと思っていたが、どうやらデータが送られているのは５０％の時間に過ぎず、３２分の１しか使っていない。つまり、0.325 μ秒程度だ。当初の予定通り、下位４ビットをまとめて１か０に揃えると、1.3 μ秒となる。

　ＷＳ信号の位相が想定より遅れていると思われること。また、初期の実験では不安定ながらも想定の動作が得られたこと。それを考えると、ＷＳの遅延は
0.3 μ秒以下だと思われる。ＷＳが遅延しているからといって位相を早めるのは難しい。ＤＡＴＡ信号の方を遅延させるのが解決策だろう。具体的には
0.5〜１μ秒だけ遅延させれば、安定した取得が出来ると思われる。
　ＷＡＶの値そのものは別途 TDA1543 がデコードしてくれるのであり、今ここで問題になっているのはレーザーの ON/OFF を判断するための「１ビットの情報」をいかに受け取るかである。ＷＡＶのビット列がどんなに歪もうが、１ビットの送受信さえ確実に出来ればＯＫなのだ。

　そうなると、ＤＡＴＡ遅延の方法としてコンデンサーを利用するのが有力だ。オペアンプとしてＬＭＣ６６２が遅いことを逆用し、遅延に使えないか？と思ったが数μ秒も遅延してしまう。ＬＭＣ６６２は「あまりにも」遅過ぎるのだ。
　ところがコンデンサも、シミュレートしてみるとうまく行きそうにない。抵抗を介してコンデンサーを充放電させるシンプルな方式だと、適切な定数が見つからない。

　ＷＡＶファイルの下位４ビットが０であれば、上位１２ビットが全部１であっても０が取得出来ねばならない。そのためには、０となっている
1.3 μ秒間に、コンデンサーの電圧が確実にＬと認識されるところまで下がらねばならない。
　ところが一方ではＨ状態を 0.5 μ秒以上遅延させたい。そのためには、０となって放電が開始されても、最低
0.5 μ秒間は確実にＨと認識されるだけの電圧をキープしていなければならない。
　更に、放電ペースが遅いと充電ペースも遅くなり、ＷＡＶの上位１２ビットが全部０だった場合は下位４ビットの
1.3 μ秒間だけではコンデンサーの電圧が十分に上がらなかったりする。電圧が不足だと、放電が始まった際にＨと認識されるだけの電圧をキープ可能な時間が短くなってしまう。

　さまざまな制約条件を考えると、何とか動作する定数を見つけたとしてもマージンは相当にギリギリであり、安定動作に確信が持てない。低速バッファである 4050B あたりを直列する方が良くないだろうか。

　７４０４だけをＨＣＴにして、１７５は７４ＨＣに戻してみた。すると、１７５の９番ピンもしっかりとＷＳ反転が５Ｖ振れて入ってくれる。
　ＤＡＴＡに関しては相変わらず元々５Ｖ振れており、ＨＣで受けても大丈夫なはず。

　しかしこれでも１７５の２番ピンや３番ピンは、値が変化しない。

　そこで、確認のため新たな試験用ＷＡＶを生成。全ビットが１になっているシロモノだ。
　これを流すと、Ｉ２ＳのＤＡＴＡは１になりっ放しのはず。ところが、そうではなかった。

　ほぼデューティー５０になっている。同じスケールでＷＳを確認すると、周波数半分で同じ形状だ↓

　試しに、普通の音楽ＷＡＶを送信し、ＤＡＴＡを見る↓
　やはり、信号が全くＨにならない状態が挿入されている。

　どうやら事態が飲み込めて来た。自分が期待しているよりもＷＳの位相は僅かに遅いのだろう。ＤＡＴＡのＬＳＢを取得出来るはずが、その直後を取得してしまっている。ＤＡＴＡはＭＳＢからＬＳＢへと順番に送り出され、ＬＳＢの後はしばらくＬ状態が挿入されている。