Darkside（https対応しました）

　ゲート側に挟まった１ＫΩを外して配線をゲートに直結することで、ＰＩＣ間との抵抗を２ＫΩから１ＫΩに減らしてみた。

　残る１ＫΩは作りつけのエポキシ封鎖状態なので、容易にパス出来ない。もちろん抵抗の並列接続で抵抗値を減らせるが、要所をエポキシで固めまくっているためこれも難作業になる。

　ＰＩＣで直接ドライブ出来るのは２０ミリアンペアが目安であり、抵抗は２５０Ωまでしか減らせない。マージンを考慮すれば、少なくとも３３０Ωは挟む必要がある。
　１ＫΩは既にその３倍に過ぎず、更にゲート抵抗を減らす余地はそう大きくない。

　まずは１３０Ｖ前後での放電。コンデンサー電圧は勘次第。危険な２００Ｖよりはかなり低く、ある程度まともなデータが採れる程度には高くなければならない。黄色のゲート電位は変化が速くなり、青いサージ波形も立ち上がりが急になっている。

　コンデンサーを２８８０Ｖ一杯まで充電してから、放電。ＩＧＢＴは破壊されたが、破壊の瞬間はしっかり捉えることが出来た。波形の変化ははっきり違うほど派手になっている。

　拡大してみると、想像通りだ。ゲート抵抗２ＫΩでは約２２０Ｖで破壊されていたが、１ＫΩに減らすと約２５０Ｖまで粘っている。サージ電圧が高速に上昇すれば、限界のジュール値が発生するまでの間により高い電圧まで駆け上がることが出来るわけだ。
　だが、ゲート電荷の引き抜きが倍速になれば、２５０Ｖではなくもっと高い電圧まで耐えてくれるのではないかと期待していた。改善されることはされたが、予想より早く死んでいる。これでは、３３０Ωまで減らしても３３０Ｖには耐えられない気がする。

　Ｉ２ｔ に関してはデータシートに記載がなく、定格不明。実測で耐えた値は本来の定格にマージンが乗っているはずで、実測で耐えればそれでパーツが劣化しませんって話ではない。ワーストケースを考えると３３０Ｖ放電３３０Ｖ回生を考えねばならない。また、コイル電流も更に大きくなる可能性がある。
　そう考えると、３３０Ωまで減らしたぐらいで何とかなるとは思えない。

　残念だが、抵抗１本で簡単操作というローサイドの夢は捨てざるをえないようだ。トランジスターをかませて高速な電荷引き抜きやるべきだろう。