Darkside（https対応しました）

　第２段と第３段は、ほぼ同一条件である。唯一の違いは、放電シミュレーションによると第３段の方がターンオフ時の電流が大きい。つまり、I2t も大きくなる。
　IGBTの４並列なんてオーバースペックもいいところで、単に I2t 対策で仕方なくここまで並列数を増やしているに過ぎない。つまり、今更IGBTが壊れるのはほぼ I2t が原因と決まっている。そうなると、更に並列数を増やすしかない。

　第３段の位置は下部に空間が余っているので、６並列でも下部に突き出すように実装すれば問題ない。また、本番では回収先コンデンサーの電圧が下がっており、たぶん４並列でも壊れない。それでも信頼性が上がるから６並列ぐらいなら増やしてもバチは当たるまい。
　最終的なユニットの形をイメージし、足の向きを決める。

　右は、せっかくエポキシで固めたのに壊れてしまったユニット。左が新たに製造したユニット。足の位置に注目。
　ゲート電荷引き抜き抵抗はIGBTが１倍半になったことで、51Ωから36Ω（18Ωの直列）へと変更してある。

　実装前には新造ユニットもトランジスター回りはエポキシで固める。配線が密集しがちであり、外力で短絡する危険が大きいからだ。

　実装したところ。右から１段目、２段目、３段目。
　３段目は下側に突き出し、上側の高さは２段目と揃っている。