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　ではなぜ、一番最初のＦＥＴだけゲートとソースのハンダブリッジが発生せず、それより後の３個すべてがハンダブリッジしたのか。これに関しては、思い切り思い当たる節がある。
　ゲート配線のハンダ付けが、明らかに異なるのだ。

　ゲート配線に使用した細い配線は、余りに細くてハンダの乗りが悪い。ゲート電極にハンダ付けするのも、大変なのだ。
　一番最初のＦＥＴでは何とかハンダ付けに成功したが、同様の作業を更に１１回も行うとなったとき、失敗を繰り返して発狂しそうになった。そこで、安易な道に逃げてしまったのだ。

　安易な道とは、被覆を剥いた配線先端部分を、折り曲げること。
　芯線を５ミリほど露出させ、その先端２ミリぐらいを折り曲げる。こうして先端を２重化すると、嘘のようにスムーズにハンダが良く乗る。これはノウハウとして遥か昔に発見していて、この配線を普通にハンダ付けする際は常に行っていた。１１個のハンダ付けも、特に苦労せずに完了した。
　だが、芯線の先端を２つ折りにするということは、それだけ太くなるという意味でもある。

　こうして１１個のＦＥＴは、最初のＦＥＴに比べてゲート電極のハンダ付け部分が太ってしまったのだ。
　ソース配線を取り付けていない状態でＦＥＴを眺めると、ソース電極との間には十分な間隔が確保されているように見える。だから妥協したが、実作業では、僅かな間合いの差が致命的な作業難易度の差となって襲い掛かって来た。
　ゲートのハンダ付けで苦しみまくっても、先端を折り返さないスマートなハンダ付けを行わねばならなかったのだ。

　明らかに、ゲート配線のハンダ付けからやり直すべきである。ソース配線に関しては、ハンダ吸い取り線の切れ端で８箇所の電極をいったんまとめる手法が相当に有効と思われる。ゲートとのハンダブリッジさえ回避できれば、作業すべてを成功させられるのではないか。
　何度も全体加熱をやり直しているせいでＦＥＴが壊れるかもしれないが、ここまで来れば追加購入も覚悟しておこう。