Darkside（https対応しました）

　１年ぶりとかなると記録がすっかり抜け落ちていて、簡単な作業の準備に手間取る。パーツは何を用意してそれはどこから取り出して、組み立てる手順はどうなっているか。すっかり忘れまくってます。

　在庫に無いローサイドIGBTを組み立てる。２組製作するためには、IGBTが４個必要になる。
　中央のドレイン足は元々短いが、ラジオペンチで更にカット。そしてゲートとソースの間にツェナダイオードを取り付ける。いや、正確にはドレインとかソースではなくコレクターとエミッターなんだけど、性格も形状もFETに似ているので分かりやすいよう頭の中で変換されている。

　GT8G121はストロボ用IGBTで、この小ささでピーク150Aに耐える。問題はFETより遙かにゲート電位がシビアなことで、性能を生かすには最低でも４V以上が必要。出来れば4.5Vを確保したい。ところが、ゲート電位の絶対定格は6Vなのだ。非常に狭いスイートスポットに電位をキープせねばならない。電位が不足すると耐電流が小さくなり破壊。オーバーすればもちろん破壊。
　ノイズによるオーバーも怖いので、真っ先に5.6Vのツェナで保護する。

　太いジャンパーをＵ字に折り曲げ、IGBTを２個１組に合体させる。

　逆電位保護のため、コンデンサー充電器の出力部にも使用したDLM10Eをハンダ付け。

　DLM10Eの足は太いので、そっちを端子に流用する。
　IGBTの耐電圧は400Vであり、通常は330Vをスイッチングする。DLM10Eもまた耐電圧400Vだ。