Darkside（https対応しました）

　Ｈブリッジは、原理こそ簡単だがマトモに動作するものを作ろうとすると結構厄介である。コイルガン戦車でうまく動作したものを流用する。ローサイドのＦＥＴはコスト重視でK3140を採用し、それ以外は同じ。
　重要な点として、この回路図は貫通電流対策を行っていない。TLP250のドライブ出力である６番ピンが半端な電位になる期間は、ローサイドとハイサイドのＦＥＴが同時にＯＮとなる。

　しかし、ＦＥＴのパルス耐電流は240Aあるため、十分に耐えられる。また、PWM周波数は50Hzと思い切り低くするため、貫通電流による余分な発熱も大したことはない。ギア比が高いため慣性が大きく、低周波ＰＷＭで問題なく動作する。逆に、低周波にしないと低DUTY時にモーターが回転しない。
　使用条件を考慮した際に貫通電流が問題にならないと見極めた上で対策を無視しているのであって、この回路図だけを流用してパーツを壊しても責任は持てない。低スペックのＦＥＴを使ったり、インピーダンスの低い電源を使ったり、ＰＷＭ周波数が高かったりすると、壊れる可能性がある。

　貫通電流対策を行うには、ローサイドとハイサイドのＦＥＴを同時にＯＦＦとするデッドタイムを設けねばならない。ところが、１個のTLP250では無理。そうなると、Ｈブリッジ１個あたりの TLP250 が２個から４個に増えてしまう。ピンは余っているのだから、２回路入ったハーフブリッジ駆動対応版の TLP250 があればいいのだが。
　そんな訳で、百も承知の上で貫通電流は無視している。

　レーザー戦車に必要なＨブリッジは、砲塔５個に車体１個の合計６個。よって、ハイサイドの J607 とローサイドの K3140 とゲートドライブの TLP250 が、それぞれ１２個ずつ必要。
　まっとうに貫通電流対策をすると、TLP250 が２４個になってしまう。

　ＦＥＴがオーバースペックなのは、いつもの鬱っとうしい制限。ＯＮ抵抗の小さなＦＥＴは、自動的に耐電流が大きいのだ。
　耐電流が１桁小さくて、でもＯＮ抵抗は変わらない。そんな小型ＦＥＴがあるといいのに。まあそうなるとＨブリッジの場合は、貫通電流対策が必要になってしまうが・・・

　ゲート駆動電位差１０Ｖの場合、ハイサイド10mΩでローサイド6mΩ。合計のロスは16mΩとなる。