Darkside（https対応しました）

　放電回路を再び確認。

　まず、ＩＧＢＴユニットは両サイドとも破壊されている。
　次に、５１Ωの２直列２並列に強化したスナバ抵抗は、両サイドとも無事。さすがにＩ２ｔ に耐えられたようだ。つまり、今回はスナバ抵抗 → ＩＧＢＴ電流のコンボで壊れたのではないということ。
　明らかに、別の犯人が潜んでいる。　

　ただし、放電回路のダイオードは壊れていない。
　長時間放置した最初のコンデンサー充電で、放電回路が誤動作する気配アリ。だが、更に調査を進める前に、充電器の改修を済ませてしまおう。

　ラジコンバッテリー側に、ＦＥＴスイッチを取り付ける。

　楽をしようとローサイドにＮ型ＦＥＴを入れると、数々のトラブルの元になる。コンデンサー充電器だけでなく、システムは数多くのユニットが協同している。ＧＮＤが浮くと、各ユニット間の通信でトラブルが起き易い。
　もちろん各ユニットを絶縁するような設計だといいのだが、自作回路を多用するシステムにおいて、ＧＮＤ共有は避け難い。

　昔と違ってＰ型ＦＥＴの性能も上がっているので、ハイサイドにスイッチを入れるのが適切な場合は素直にＰ型使うべきである。
　技術進歩に伴い、貧乏臭いノウハウが次々に時代遅れとなっている。

　充電器の出力調整は基本的にＰＷＭ制御で行なう。
　今回設置するスイッチはターンオフが遅くても問題ないので、Ｐ型ＦＥＴのスイッチングとして簡便な方式で済ませる。ＰＩＣのＲＢ５でスイッチングできるようになる。

　ＯＮ抵抗が小さめで、５Ｖ系によるゲート操作も可能。そういう使い勝手の良いＰ型ＦＥＴが存在しなかったのは前世紀の話である。今はとっくに２１世紀。
　ＳＵＭ１１０Ｐというのを在庫してある。

　僅かな性能を気にして２並列にしてもいいのだが、平均電流８Ａ程度で運用するなら１個だけでも性能低下はそう酷くない。入力側電圧降下が０．０５Ｖというあたりか。着実に改善されているとはいえ、ＦＥＴはゲート静電容量が巨大なのが難点。並列すると、スイッチングが遅くなる。