Darkside（https対応しました）

　ハイサイドＩＧＢＴを短絡ピンに置換し、ローサイドだけで犯人探しやってみる。
　まず、実測されたコンデンサー放電波形やコイルの実測インダクタンスを元に、シミュレーションのパラメーターを調整。コイルの直流抵抗は０．６７Ωぐらい。
　緑がコンデンサー電圧、青がコイル電流。

　シミュレーション結果を、オシロの実測と重ねてみる。重要なのは、コンデンサー放電の「途中」でコイル電流はピークを迎える点。ローサイドＩＧＢＴのコレクター電位（黄）が謎の盛り上がりを見せているのは、電流のピーク付近ではないか？
　ＩＧＢＴがオンになると、正常な場合のコレクター電位は２Ｖぐらい。だが耐電流をオーバーすると、コレクター電位が上昇する。回路の欠陥ではなく、単純に過電流で謎パターンが現れたのではないか？
　３３０Ｖ放電のピーク電流は、シミュレーションだと２７０Ａを超える。しかし２５０Ｖ放電だと２１０Ａ程度。謎パターンは２１０Ａ以下では出現していない、という部分でも現実に合致する。

　だが、使用しているＩＧＢＴの耐電流は２００Ａである。それを４並列しているのだから、負荷バランスが少々崩れていても２１０Ａまでしか耐えられないのはおかしい。確かにＩＧＢＴの配線４系統は対称ではないが、それにしても理想８００Ａ耐電流が２１０Ａに落ちるほど酷い配線とは思えない。
　過電流が犯人だと分かり易いが、幾ら何でも計算が合わな過ぎる。

　今度はローサイドＩＧＢＴを詳細にチェック。黄色はＰＩＣによるゲート操作電位で、青がローサイドＩＧＢＴのコレクター電位。１２０〜１３０Ｖからの放電では、想定通りのパターンが計測された。しかし若干おかしい。無負荷で計測した時は、ゲート操作電位の立ち上がりこそ角が丸くなっていたが、テーブル部分は綺麗に５Ｖ水平になっていた。それが、凹んでいる。

　３３０Ｖ放電では、一発でローサイドＩＧＢＴが破壊された。ゲート操作電位は急激に落ち込み、４Ｖあたりに下がっている。遂に犯人をまた１人捕まえた。
　ＩＧＢＴのゲート電位が下がると、飽和電圧が大きくなり耐電流は小さくなる。ターンオン期間中に、想定外にゲート操作電位が下がったため、電流に耐えられず破壊されたのだ。

　以前のコイルガンでも、ゲート操作電位の低下で破壊されたことがある。当時はハイサイドのドライブ電源として、コンデンサーに蓄電していた。その容量が不足し、やはりターンオン期間中に電位低下を起こした。
　今回は別電源を用意しているが、ゲートの消費電荷が想定外に大きかったようだ。

　ＩＧＢＴはＦＥＴと似たような使い方が出来るため、ついＦＥＴの仲間としてイメージしてしまう。しかし、ＯＮ抵抗が定義できず飽和電圧での表現となるなど、トランジスターの仲間に近いかもしれない。
　ＦＥＴはゲートをＯＮにすれば、ゲートに電荷を更に投入しなくてもＯＮのままである。これに対しトランジスターは、電流を流し続けないとＯＮが継続しない。
　ＩＧＢＴのゲートもＯＮ期間中ずっと電荷を喰らい続け、しかもコレクター電流が大きいほど大喰らいになっているようだ。
　コイルガン領域の高電圧・大電流において、ＩＧＢＴに匹敵する性能のＦＥＴが登場すれば、さっさとＦＥＴに乗り換えたい。だが、現状ではＩＧＢＴが性能で完全にリードしているから、放電回路を頑張ってＩＧＢＴを適切にドライブせねばならない。

　「ストロボ用」を謳うＦＥＴが登場するかどうか？がポイント。