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　こうなると、オシロで調べるしかない。ＩＧＢＴのゲート電位は、どうなっているのか？

　コンデンサーバンクからほぼ電荷が抜けた状態で、ＩＧＢＴのソースすなわちコンデンサーバンクのＧＮＤを基準としたゲート電位を確認する。

　すると、コンデンサー充電器のチョッパー周波数と同じ規則性を持ったサージが観測できた。明らかに、サージのタイミングでＩＧＢＴゲートに電荷が流れ込んで、ゲート電位が上昇している。

　コンデンサーの充電が完了して電圧キープ運転になると、ゲートに流入する電荷よりプルダウン抵抗による流出電荷が勝利し、ゲート電位はゼロになる。だがその場合でも、サージ波形は観測されている。

　コンデンサー充電器が激しいサージ供給源になっているのは確実で、サージ対策フィルターを入れまくってシステムは安定動作するようになっている。しかし、放電スイッチ用のＩＧＢＴにはフィルターがない。どうやってフィルターを入れれば良いのかも悩ましい。
　そうなると、最も単純な解決策はプルダウン抵抗を強くすることだ。

　現在、ユニットごとに１０KΩのプルダウン抵抗が入っている。よって、３並列だと３．３ＫΩとなる。現在は２並列で確認中なので、５KΩだ。
　一方、ゲートドライブ配線の電流制限抵抗は１２Ωとなっている。ＩＧＢＴゲートは４Ｖ以上でドライブせねば定格性能を発揮できないことを考えると、最悪１５０Ωあたりまでならプルダウンを強くできる。ただ、増幅用トランジスターの性能限界も一方にあるので、できれば５１０Ωまでで効果が出て欲しい。
　まずは、プルダウン強化で効果があるのか？あるとすれば、どれぐらいの抵抗値が適切か？を調べるべきだろう。