Darkside(https対応しました)

2009年9月3日(木) 21:04

容疑者

 コンデンサー電圧が約100Vの状態から放電し、回生が開始された直後の波形。IGBTの+側である。電圧の上昇はマイクロ秒単位で見れば緩やかで、これならダイオードの順回復を十分に待てると思われる。想像していたスパイク状の鋭いサージは認められない。

 今度は、約150Vからの放電と回生。IGBTのゲート電荷がゆっくりと引き「抜かれて電流がゆっくり遮断されると、+側の電位が上昇する。そして回生用ダイオードが順回復したら一気に低下。100Vの場合に比べて、かなり波形の変化が鋭くなっている。しかし、やはり異常な電圧は認められない。

 ならばと、コンデンサー電圧200Vぐらいで。自動停止が使えるのは最低280Vなので、目測でタイミングを取っての放電だ。だから「約」だの「ぐらい」だのって表現になっている。
 すると、200Vからの放電と回生で、IGBTが破壊された。

 150Vでの測定波形を見ると、+側に発生した電圧は回生直後に一気にGNDよりも20Vぐらい低く落ち込んでいる。1μ秒より遙かに高速に逆電位になるため、IGBTに実装した逆電位保護ダイオードの順回復が追い付いていない。青い波形を見ると、回生用ダイオードも逆電位保護ダイオードも、順回復に2〜2.5μ秒を要しているようだ。ダイオードの逆回復時間はウリにされているが、順回復時間を問題にした製品は皆無に近い。検索すると、高速な「順」回復時間を誇っているものもあり0.15μ秒とある。特に配慮されていない普通のダイオードが15倍遅いというスケール感は電子パーツでは「良くある話」だ。

 さて、このIGBTだが逆電位が加わった場合の耐圧はどの程度なのだろう?

written by higashino [コイルガン戦車 1/24] [この記事のURL] [コメントを書く] [コメント(1)] [TB(0)]

この記事へのトラックバックPingURL

Comments

『逆耐圧』

おそらく、問題になる逆耐圧は、
コレクタ・エミッタ間ではなく、ゲート・エミッタ間の方かと、
でゲート破壊しているのかと

正常品と壊れたやつで、各端子間の電圧降下を比較すると (テスタのダイオード測定モードで)
壊れてるのがコレクタ・エミッタなのか、ゲート・エミッタなのかわかるかも
(MOS-FETでは何となくわかる)

ゲートが飛ぶと、結果的に過電流でコレクタも死ぬことが多いけど…

written by 通りすがり

TrackBacks

Darkside(https対応しました)

Generated by MySketch GE 1.4.1

Remodelling origin is MySketch 2.7.4