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　次々にＩＧＢＴが壊れ、使えるユニットが無くなった。今後もかなりの数を壊すことになりそうなので増産に入る。

　本当に幾つあっても足りない状況なので、一気に８ユニット作ることにする。まずは１６個のＩＧＢＴそれぞれにツェナを取り付ける。５．６Ｖ品だが遂に１００本入りの袋を使い切った。

　オシロによる実測は、今後も延々と続く。
　まず最初に行うのは、トランジスターを使用した桁違いに高速なゲート電荷引き抜きにより、３３０Ｖ放電３３０Ｖ回収に耐えられるかどうかの確認だ。
　当然だがシンプルながらそのような回路を新たに製作せねばならない。

　サージ電圧が高速に上昇するようになった場合、電圧上昇カーブの傾きがマイクロ秒あたり４００Ｖを超えないかどうかも要注意だ。

　ＩＧＢＴユニットの組み立ては面倒臭いが、特に面倒なのはドレインとなる放熱板同士をハンダ付けする部分。逆電位対策ダイオードの足を折り曲げ、ギャップを埋め易いよう考える。そして、片側のＩＧＢＴに先行してハンダ付けを行う。

　トランジスター強化ゲートドライブが成功した場合、今度はサージ電圧が注目点。ターンオフが高速化されるとサージ電圧の上昇も高速となり、回生用ダイオードが順回復するまでの恐らくは２μ秒程度の間に過剰に電圧が上昇する。
　それを４００Ｖ以下に抑止せねばならない。射撃のたびに電圧オーバーシュートが発生するはずで、それをツェナで逃がすのは愚策と思われる。パーツを劣化させそうだし、そもそも何らかの遅延がありそうだ。ダイオードである以上、その遅延は回生用ダイオードの順回復時間と似たようなものというオチが付いて来るのではないか？

　２つ目のＩＧＢＴを重ね、放熱板の間にたっぷりとハンダを流して合体させる。
　ソース側はツェナダイオードの足をクロスさせ、抱え込むようにハンダ付け。

　電圧オーバーシュートはスナバ回路で抑止したい。先日の測定でＩ２ｔ は当然防止出来なかったものの波形を滑らかにする効果は強力だった。問題は、使用するコンデンサーのサイズである。
　周波数特性と耐久性の点から、電解コンデンサーは使えない。そうすると、果たして効果を発揮する容量だとどの程度の外形になるか？である。

　サージ抑止に効果があるスナバ回路で、最小サイズはどの程度となるか。これは実際に各種製作して測定してみなければ分からない。
　以上のように考えて行くと、まだまだ幾つもＩＧＢＴユニットが壊れそうだ。