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2009年9月13日(日) 19:15

増幅回路

 逆電位対策ダイオードのGND側とソース端子の形作る三角地帯にハンダをたっぷり流し込んで仕上げ。

 想像通り、放熱板同士を合体させる作業を楽にするよう考えたら、ユニット作りが相当に楽になった。前回4ユニットを製造した時に比べると、8ユニットでも少し楽になったように感じる。将来の増産を考えると良い感じだ。

 ゲートドライブは取りあえず一番シンプルな方式でやってみる。
 PIC近くにピルトインされている1KΩを除去する必要がない。

 ターンオンはPIC直結1KΩとして行われ、ターンオフでトランジスターが働き18Ωでの高速スイッチングとなる。

 SA854 はパルス0.5AまでOKで形状も小さく、今回の用途には最適だ。鈴商で200個500円という安さながら増幅率も高い。

 増幅回路一式を実際にIGBTユニットに取り付けたところ。

 直列351Vのツェナダイオード群を取り付けた場合と大差ないサイズに収まっている。

written by higashino [コイルガン戦車 1/24] [この記事のURL] [コメントを書く] [コメント(2)] [TB(0)]

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Comments

『タイトルなし』

トランジスタでのゲートドライブだと、Vce分の電圧がゲートにかかったままになるのでマズイのでは?

written by 通りすがりの

『タイトルなし』

このIGBTの遮断ゲート電圧が最小0.8V
このトランジスターの飽和電圧は最大0.4V
なのでスペックシート上は問題ないはず

written by IDK

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