Darkside（https対応しました）

　３３０Ｖ放電からの破壊波形を取得するために、新しいＩＧＢＴユニットにトランジスターを取り付ける。併せてゲート逆電位の確認も行うため、ショットキーバリアダイオードをゲート逆電位保護として追加。

　まずは、１５０Ｖ放電で状況を確認。もう見慣れた波形が現れる。
　これにより、プローブのセットやパーツの組み立て、あるいは初期不良は大丈夫そうだと分かる。

　重大な事実は、ショットキーバリアダイオードで保護しているにも関わらずゲートに派手な逆電位が発生していることだ。明らかにおかしい。

　そこで、チャンネル１すなわち黄色いゲート電位測定プローブのＧＮＤピンを、ＩＧＢＴのすぐ近くに取り付け直す。ここは狭くて、片チャンネル分しか取り付け出来ない。

　この写真を見ると、プローブでか過ぎるという意味が分かると思う。

　再度１５０Ｖ放電やると、ゲート逆電位は消滅した。自分がかなり疑っていた通り、逆電位は見かけだけの現象だった。コイルガンの強力な電磁パルスにより誘導電流が発生し、ＧＮＤ電位が動いてオシロが騙されていたのだ。
　ゲート逆電位は、ＩＧＢＴ破壊の犯人ではない。

　ただし、実際より遙かに低い電位が測定されるということはチャンネル２で測定しているＩＧＢＴの＋側電位も低く測定されているということになる。サージ電圧オーバーシュートは小さく見えるが、実際は遙かに高い電圧が発生しているのではないか？