Darkside（https対応しました）

　ハイサイドの４並列IGBTのうち２個は新品在庫だから、分離して流用出来る。しかし、足同士が強力にハンダ付けしてあるため実際の作業は困難。
　ＴＶ見ながらというより聞きながら状態で、新しく作り直す。

　実験を早く行いたいので、在庫は作らず４個のみ合体させる。ソース部分は足を長く残し、オシロのプローブに便宜を図る。テスターでゲートとの間の抵抗値を測定。もちろん30Ωとか訳分からない値が出ることなどなく、絶縁状態になっている。

　IGBTに接続した状態で、ハイサイドのゲート電位を測定。昨日とは異なり、きっちりと５Ｖまで振れた波形が出現した。やはり前回は劣化によりゲートが半短絡になっていたようだ。

　いよいよメインコンデンサーを充電。100〜150Ｖ放電でのスイッチング。これまでに見たことのないパターンが出現した。いつも通り、黄色がゲート電位の変化で青がソース・ゲート間電位だ。
　初期状態ではメインコンデンサーの電圧をローサイドと分担しているが、ターンオンになると一気に０Ｖに落ち込む。ローサイドと異なり、ターンオン時の電圧変化が大きい。それよりゲート電位が予想外。４Ｖ半までしか振れていない上に電圧降下が著しい。以前はメインコンデンサーを放電しない空撃ちでのゲート電位はオシロ測定したことがあるが、放電中の測定はしなかったかもしれない。
　放電するとゲートがこんなことになっているとは・・・ローサイドはＰＩＣから常時電荷が供給されるが、ハイサイドは抱え込んだ積層セラミックコンデンサーの電荷だけが頼り。

　本当にこの測定結果が正しいのかどうか今しばらく確認の必要があるが、どうもハイサイドも新たなノウハウが必要な予感。dv/dt は大丈夫そうだが、ゲート電位はかなり問題が大きい。このIGBTが定格電流に耐えるためにはゲート電位を4.5〜5.5Ｖという狭い範囲にキープせねばならないのだが、明らかに外れている。これでは耐電流が低下する。４並列により余裕はあるから即座には壊れないが、ＯＮ抵抗の増大により余分な発熱があるはず。それは、大敵の I2t に対する余裕を食い潰すって意味でもある。