Darkside（https対応しました）

　延々と悩まされた気味の悪い現象はすっきりしたが、本当に真犯人かどうかはもちろん検証せねばならない。すなわち、5.8V電源の出力ダイオードを耐圧400VのDLM10Eに戻し、正常に動作するかどうか？

　プローブ先端の鉤が巨大過ぎて足に密着しないため、爪楊枝の頭を噛ませてある。

　電源の出力は6.4Vぐらいだが、ハイサイド光ゲートドライバーで利用可能な電位は実測5.1Vあたりになっている。以前と変化していない。

　メインコンデンサー100V放電からの測定波形。ゲート電位は初期の5.1Vからゆっくりと5.0Vへと低下しているが、低下ペースは想定通り。メインコンデンサーが空の場合と変わらない。真犯人はやはりＤ５だった。

　続いて、330Vフルチャージからの放電。大丈夫とは思いつつ、どこか壊れないか不安を抱く。幸いにして破壊されなかった。第１段は放電コンデンサーと回収コンデンサーが同一であるため、回生開始時のコンデンサー電圧はそれまでの放電により少し低下している。そのため、ターンオフ時のサージ電圧は低くて良い。
　IGBTが受ける電位差は複雑なパターンを描くものの、ローサイドのみの第２段を超えることはない。ただ、ターンオン時の凄まじく大きな dv/dt は気になるし、ターンオフ時の電位差は逆に遅過ぎて I2t が不安。

　また、ターンオフが終了して100μ秒以上も遅延して大きな変動が発生しているのは何？

　ターンオン時の間軸拡大波形。dv/dt はマイクロ秒400V を遥かに突破する凄まじい変化を示す。330Vの電位差をこれだけ高速に落ちたら IGBT が壊れて不思議はない。少なくとも、ローサイドのターンオフなら完全に破壊されている。データシートでは dv/dt の向きは問題にされていない。つまり、降下は良くて上昇だけ駄目とは書かれていない。
　しかし一方では、ターンオフ時とはっきり書かれている。ターンオン時の dv/dt は問題にされていないと読める。

　こちらはターンオフ時の時間軸拡大波形。規則的な振動が見られるもののIGBTの耐圧が問題になるようなオーバーシュートは無いし、細部を見ても dv/dt は余裕で安全圏だ。
　それにしても IGBTゲートに接続した 51Ωは共通なのに、ターンオンは高速過ぎてターンオフは低速過ぎるってのも困りものだ。偶然壊れず動いているのか、それともIGBTに負担となっているのか。