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2009年10月10日(土) 16:16

ローサイドは

 ローサイドの状況が気になって測定してみた。単独すなわち第2段や第3段に相当する状況での測定は完了しているが、ハイサイドと併用した際の挙動はまだ分からない。ハイサイドに100μ秒先行してターンオンしているので、ターンオンに関しては単独でもハイサイド併用でも変わらない。問題はターンオフから後だ。

 ハイサイドに見られたIGBT電位差(青)は、ローサイドでも激い変動を見せている。
 ターンオフの瞬間そのものは、単独試験で見たのと変わらない。ただし、回収先コンデンサーが330Vではなく少し放電した自分自身であるため、サージ電圧は減っている。ハイサイドを必要とするのは自己回収の場合だけであるため、サージ電圧はローサイド単独の場合より低くて済む。つまり、ローサイド単独に耐えられる仕様ならハイサイド併用のターンオフにも耐えられる。

 問題は、ローサイド単独では発生しなかった妙なノイズ。ターンオフから150μ秒ほど後に、鋭い電位の落ち込みがある。dv/dt は限界を遙かに超えている。しかし、IGBT自体はスイッチングしていない。ゲート電位は測定波形上は変化しているものの、いずれにしろ完全にOFF領域。
 既に常時OFF状態である場合でも加わる電圧が急変したからと言って壊れるようでは、電子機器は成立しないように思われるが・・・サージが耐圧以内なのに壊れては困る。

 ターンオフから180μ秒ほど経過して電位が急降下する部分の時間軸拡大波形。
 一部の dv/dt は大き過ぎるものの、これもIGBT自体は既に常時OFFなので無関係と信じたいところ。

 ローサイドとハイサイドの両方が揃っている場合のIGBT負荷に関しては想像以上に複雑だ。
 少なくとも、dv/dt が問題になるのはターンオフ時だけという前提に立たないと、やってられない。その場合、まず気になるのはハイサイドのターンオフが遅過ぎる点だ。ゲートドライブ抵抗が4並列で51Ωというのは、ローサイドだと dv/dt 制限が近付くかなり高速なスイッチングだった。ところがハイサイドでは、I2t が気になるほどやたら低速スイッチングになってしまう。これをどう考えるか。

written by higashino [コイルガン戦車 1/24] [この記事のURL] [コメントを書く] [コメント(0)] [TB(0)]

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