Darkside（https対応しました）

　光ゲートドライバーは３組あったのだが、うち２組が 330Ω挿入試験で壊れてしまった（正確には壊し...^_^）

　ハイサイドには２つ必要なのに、残り１つしかない。
　新造のためパーツ調達に鈴商へ出向いたものの、J186 が手に入らない。通販で手にはいるかと思ったら、やはり J186 がラインナップから消えている。普通なら J179 とか J244 で代替可能だが、このゲートドライバーはＯＮ抵抗が適度にでかいことが重要なのだ。J186 に比べるとＯＮ抵抗が小さ過ぎるしそのためゲート容量が不必要にでかい。それだけスイッチングし難い。

　ただし、外付け抵抗が有効ならＯＮ抵抗の小ささは目を瞑れる。
　健在ゲートドライバーは J186 と K1334 の間の配線を切断せず、共通の外付け 4.7 Ωを装着して実験開始。

　ゲートは正常にドライブできている。やはり、先の２つは配線を切断した衝撃だけで壊れてしまったのだ。
　100V強からの穏当放電でも、相変わらずターンオフ時が乱れまくっている。

　ターンオフ時の時間分解能アップ。激しい振動が発生している。共通51Ω挿入時に比べると振動が遙かに酷くなり、そればかりかターンオフに要する時間まで増大している。ターンオフが異様に遅いからと抵抗値を１桁減らしたのに、逆に遅くなっている。
　つまり、ターンオフが遅いのはゲートに大き過ぎる抵抗値を接続したからではない。何らかの発振が発生していてそれが抵抗値の減少で悪化したと考えた方が良い。

　フルチャージ330Vからの放電で、凄まじい発振？が発生しハイサイドIGBTは破壊されてしまった。ローサイドIGBTは無事。51Ωでもそうだが、メインコイルがブルブルと振動するような音を立てている。メインコイルはアラルダイトでガチガチに固めてある。それなのに、小さな第１段コイルがただごとではない鳴き方をする。

　ゲート接続抵抗を51Ωより増やせば、この発振は緩和されるかもしれない。しかし、ローサイドの実験では I2t との絡みで51Ωより増やすのは避けたかった。51Ωではハイサイドが破壊されなかった以上、抵抗値を増やすのは躊躇われる。

　現状の最適値である51Ωがゲート接続されていれば、J186 と代替品のＯＮ抵抗差は無視出来る。