Darkside（https対応しました）

　これまでの２個組とは異なり、iGBTを４個組にして行く。これにより逆電位保護ダイオードを半分に減らし、ついでにゲート保護ツェナも省略。スペックシートが正しければ、保護ツェナは素子に内蔵されているはずだ。それに、これまで外付けのツェナのおかげでゲートが助かったというケースに遭遇していない。

　４つのIGBTいずれを電流が通過しても、インダクタンスがほぼ同一になるような物理的形状に組み合わせる。

　それぞれを２つずつ組み合わせ、８並列ユニットが２つ。
　８並列となっても各IGBT経由のインダクタンスはかなり揃っているはずだ。

　右側はローサイド用で、5.1KΩのプルダウン抵抗を追加。
　更に、配線を直付けにしてユニット全体の体積を少しでも減らす。

　まずはローサイド用のゲートドライブ回路を組み込む。

　トランジスター１個で８個同時のゲートドライブも楽勝である。しかしゲート配線をぐるっと回すのが気持ち悪かったので、あえてトランジスターを２個にした。ここのトランジスターを１個減らしても、実装空間は楽にならない。

　ハイサイド光電送路となるパイプを作成。基本的に第１段用と同じで、３ミリ真鍮パイプが長いというだけの違いである。