Darkside（https対応しました）

　秋月インバーターで検索するとヒットするのはＥＬ駆動用キットばかり。そっちは情報も豊富なら回路図も流れているので話は簡単だ。しかし、ＤＣ-ＡＣの方は極端に情報が少ない。改造ベースとして情報を整理しておくのはレーザーネタ以外でも将来役立ちそうな気がする。

　この基板にはＩＣが３つ載っている。ＬＭ３２４Ｎ（Ｕ２）と、２つのＫＡ３５２５Ａ（Ｕ１、Ｕ３）だ。ＬＭ３２４Ｎはご存じ単なるオペアンプ４回路なので、回路の機能を推測する上では重要だがパーツとしては枝葉末節である。大事なのはインバーター制御ＩＣのＫＡ３５２５Ａとなる。
　Ｕ１が１２Ｖから１２５Ｖを作るべく、２つのＦＥＴを駆動しトランスを働かせる。
　Ｕ３は直流１２５Ｖを交流化すべく、Ｈブリッジを駆動している。

　これは昨日簡略版を掲載したトランス駆動系の詳細な回路図である。もっとも、ごちゃごちゃ付いているのはローパスフィルター等の信頼性向上パーツが多く、本質的な問題ではないと思われる。Ｒ１はＣ１に溜まった電荷を放出するための抵抗で、インバーターの電源を切ると速やかにＣ１の電圧が下がる。
　ＫＡ３５２５Ａは１１番ピンと１４番ピンでＦＥＴを駆動する。両方のピンが交互にＨとなるようだ。Ｑ１とＱ２はフェアチャイルドのＦＱＰ５０Ｎ０６というもので、耐圧６０Ｖで５０Ａオン抵抗１８ミリΩと結構ちゃんとしたものが使われている。

　トランスを介しているため電源バッテリーと高圧出力側は絶縁されているように思える。しかし、Ｕ１でＦＥＴを駆動する関係からＧＮＤは共有する必要がある。高級なインバーターであればフォトカプラを使用して完全に絶縁するところだが、１８００円のインバーターはそんな手間を掛けていない。

　コッククロフト・ウォルトン回路を駆動するならわざわざ家庭用ＡＣ周波数に合わせる必要はなく、整流する直前のトランス２次側出力を引っ張り出して使えば交流周波数は高いままだし整流やＨブリッジのロスも無い。しかしその場合、そのままでは後述するように電流制限が働かなくなる。ただし、働かなくても少なくともＦＥＴは容易に壊れないスペックだ。
　更に、この位置ではパルス幅が違うだけで最大電圧は変わらないかも？バッテリー電圧の変動で最大電圧が変わるかも？コンデンサーはピーク電圧で充電される。一応確認する意味はある。

　ゲート耐圧を遙かに超えた１２５Ｖという電圧相手に、ＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴだけ４つ使ったＨブリッジをいかに駆動するか？
　それ自体興味深く応用機会も確実にあるが、今回の改造目的とは関係が薄い。明日以降の話題としよう。

　ＨブリッジのローサイドがＧＮＤになっていない。Ｒ２が入っている。つまりこれは出力電流を検出するための抵抗と考えられる。電圧が高いほど電流検出ロスを減らし易いから正解だし、Ｈブリッジを組んでいるからこそ交流出力にも関わらず容易に電流検出抵抗を仕掛けられる。
　１６番ピンは５Ｖをキープするらしく、基準電圧として使える。これをＲ２２とＲ２３で分圧し、電流検出抵抗と比較している。出力電流がオーバーするとオペアンプの出力が＋に振れる。その信号はＵ１の１番ピンに入っている。
　トランス２次出力から電流を直接引っ張り出すと、この電流検出機構は意味が無くなる。

　一方、直流化された状態の１２５ＶはＲ２４と（Ｒ２５＋Ｒ２６）で分圧され、やはりＵ１の１番ピンに入っている。
　直流出力電圧が高くなり過ぎるか、または交流出力電流が大きくなり過ぎると、Ｕ１の１番ピンの電圧が上がる訳だ。ここから考えると、かなりの確率でＵ１の１番ピンがビンゴである。ここの電圧が上がるとトランス駆動ＦＥＴのＯＮ期間が短くなるのだろう。従って、Ｒ２４の抵抗値を小さくすれば、出力電圧をアップさせられるはず。

　ところが実はこの改造ポイントはとっくに気付いていて、とっくに試している。Ｒ２４と並列に半固定を接続してみた。結果は・・・全く何の効果もありませ〜ん！（泣）

　今回気合いを入れて回路を解析したら、既に駄目と判明しているのと同じ結論が導き出されて少々落ち込んでいるのだ。しかしまだ回路を全部解析した訳じゃない。何か隠されたトラップがあるかも・・・取りあえずもう一度、今度はＲ２６を半固定に交換でもしてみるか？