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　そもそも、どうしてＩＣが壊れたんだ？
　実際、気になっていたことではある。本当にＩＣに高電圧が加わらないのか？
　設計図では大丈夫だが、現実にはサージがあるかもしれない。コイルの手前にも保護ダイオードＤ２を入れた方が安心だ。これで試すと、いきなり出力電圧が上がった。ということは、やはり何らかのキックバックが発生していたのか？
　ＩＣの耐圧は４０Ｖである。

　ラジコンバッテリーからＡＴＸ電源に替える。電源を入れた瞬間、前回同様に電流計がいきなり振り切った。予想の範囲内だったので、針を注視していた。即座に電源を切る。今度はＩＣが壊れることもなく、ラジコンバッテリーに戻すと正常動作した。
　なぜラジコンバッテリーだと正常動作しＡＴＸ電源だとショートするのか？
　訳が分からない。しかし本番はラジコンバッテリーで運用するので、この際ＡＴＸ電源で動かなくても先に進むことにする。これまで余りに足を取られ過ぎて全然開発が進んでいないからな・・・

　電流検出抵抗を０．１Ω（最大３Ａ）とし、放電器を入れると平均消費電流が０．８Ａまで振れた。一応電流制限はキチンと働いているようだ。一方でコッククロフトは案の定、出力ワット数が上がらない。そこで、レギュレーターとしての使用を断念。ＩＣの電流制限機能に頼って出力側はブレーキを掛けないようにした。
　下の回路図で、出力部分を見て欲しい。コッククロフトを解体し、昇圧に不可欠なコンデンサー２つだけを残した。Ｃ１からＣ２にスムーズに電荷が移動するかどうか？がポイントなので、フィルムコンデンサーではなく２００μＦのフラッシュ電解を投入。

　５４４ジュール電解に接続してみる。
　いきなりショート状態になることもなく、しっかり電流制限が働いている。入力側の電流計はピタリと０．８Ａ近辺をキープし続けている。発生した高電圧はコイルや抵抗などでブレーキを掛けることなく全部コンデンサーに送り込まれる。アッという間に電圧が上がる。ところが、途中から電流値が低下し、音がスローになる。
　１０ＫＨｚ駆動のインバーターはコイルがかなり音を出すが、動きが分かり易くて逆にいいと感じる。夜の運転が出来ないほど大きな音ではないし。

　最初の勢いはどこへやら、やっと３００Ｖに達したのは７５秒ほど経ってからだった。６８００μＦなので、３００Ｖは３０６ジュールである。狙いの３３０Ｖだと３７０ジュールになる。平均で４ワット充電でしかない。
　これではいかにも遅いので、電流検出抵抗を０．０５Ω（最大６Ａ）に増設。何だか電流が倍よりも増大し、平均３Ａ近く流れている。３００Ｖに２０秒で到達してしまった！

　だが、途中で電流値が低下し充電速度が落ちるのは変わらない。倍電圧整流回路の原理から想像出来るとおり、基本電圧よりもターゲットの電圧が高くなるとブレーキが掛かってしまう。
　Ｃ１からＣ２への電荷移動が阻害され、出力レギュレーター化してしまう。

　現状では基本電圧が２００Ｖをかなり越えており、最終的には４４０Ｖ以上まで上げられる。５４４ジュール電解は定格４００Ｖサージ４５０Ｖなので危険な状態だ。
　出力電圧検出を調整し、最終電圧３３０Ｖで止まるよう調整する。半固定を回して電圧設定を下げ、放電器で５４４ジュール電解の電圧を落としては通電という繰り返し。設定電圧になるとコイルの音が消え電流もゼロ化するので、分かり易い。３３４Ｖで充電が停止するようにした。

　この状態で電圧ゼロから充電を開始し、充電が停止したのは４３秒後となった。平均８〜９ワット充電か。
　一方、ノーブレーキで飛ばせばどうだろう？
　試しに出力電圧検出をプルダウンし、常に最高電圧が出るようにする。今度は３３０Ｖまで２０秒しか掛からなかった。能力的には平均１８〜１９ワット充電出来るものが半分以下の能力しか出せていない。
　また、コイル音を聞く限り途中でブレーキが掛からなかった。つまり、基本電圧で３３０Ｖ越えてるんじゃ・・・確認すると３６０Ｖを越えているようだ！

　Ｃ１とＣ２に使っているカメラフラッシュ用電解は耐圧３３０Ｖでサージ３６０Ｖである。これまたヤバい！
　ついでに言えば使用ＦＥＴは２ＳＫ３１３２でファイナルアンサー。１４８６では耐圧が足りないのであった・・・ラジコンバッテリーはＬＤ電源で２本一度に充電したあの日から一度も充電していない。どんどん消費しているはずが今でも目標より１割以上高い電圧が出せている。これは、直接３３０Ｖの生成出来そうだぞ？
　Ｄ２の追加と電流制限を緩めたことで、当初遙かに無理っぽかった３３０Ｖが充分射程に入って来た。これなら倍電圧整流回路による出力制限を受けずに済む。更に電流検出抵抗を最大１２Ａまで強化すれば、実用性能を出せるのでは？、

　ところで、６Ａ制限でＦＥＴの発熱はどの程度だろう？
　ヒートシンクに触れた瞬間、感電した。

　改めて調べると、ＦＥＴの放熱板はソースではなくドレインだった！
　ばっきゃろ〜危ね〜じゃないか！当然ソースに接続しているものだろ！これでは、ヒートシンク全体を絶縁せねばならず、極めて使い勝手が悪い。仕様決めたバカ前に出ろ！

　もっとも、もし放熱板がソース電位だとすると、普段は良いがＦＥＴが壊れた場合に放熱器で感電する可能性がある。最初から感電必至のヒートシンクから絶縁対策せざるを得ないから、どっちみち安全だ。そんな思想なのかもしれない。感電するかどうかがパーツの信頼性に依存するのはマズいということかもしれない。
　パーツが壊れようが何しようが感電しないように機器は作るべきだよな。

　更に気になったのは、４０ミリアンペア放電器がしばしば５０ミリアンペアを越える。７０ミリアンペアほど流れることもある。明らかに発熱でトランジスターの増幅率が上がったせいだ。ここまで影響があるとなると、レーザー砲の電源にパワートランジスターを使う場合の安定化にはかなり気を遣う必要がある。