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　ＦＥＴユニットの方に高電圧出力端子をセットする。
　以前感電した通り、ＦＥＴのドレイン（中央）は放熱面・ヒートシンクと同電位であり、止めネジも同様。だから、ショートとか心配せず出力ダイオードを取り付け可能。

　出力電圧検出部分もゲート同様にコネクター化。

　出力電流は平均すれば０．１Ａ未満なので、細い配線で充分。ところが、細い配線は被服も貧弱なことが多く、絶縁に不安がある。

　制御基板の上にＦＥＴが被さる２階構造とすることで、配線を長く引き回さずに済むようにした。
　以前の充電器ではＦＥＴゲート信号や出力電圧検出を長く引き回す羽目になっていた。しかし今回のものは全体の図体がでかいのに信号の引き回しはせいぜい３センチまでだ。

　その分の皺寄せを、電流検出抵抗からチョークコイルへの接続配線に全部回した形。この部分はノイズが乗っても他に比べれば影響が小さいと思われる。
　電流制限は二号機をバラして流用し、１０Ａに設定されている。

　これまでの試作基板そして一号機二号機と今回の基板。いずれも基本的に回路図としては同じものだ。だが、実体化した姿はまるで違う。
　ミリアンペア単位で運用する場合は、回路図さえあれば何とかなる。ところが、大電流で性能を追求する場合、回路図通りってだけでは性能が出るとは限らない。
　性能を出すには試験しないといけないが、大電流だとパーツの接続や電源の引き回しもしっかり行わねばならない。ブレッドボードに組んで済ますことは出来ず、限りなく本番製作に近い感じになる。
　さもないと大電流に耐えられず、試験が成り立たない。

　単純な回路図だが実体化の方法は無限に考えられる。その中でベストを探す試みは創造性が問われるのみならず、手間暇も掛かる。

　良く失敗するので本当に回路図通りに組まれているかチェック。何度も製作してすっかりお馴染みになった回路だから、そうそうミスは起きないはず。と思ったが気付いた。電圧検出の分圧抵抗で、プルアップ２ＭΩを付け忘れている！