Darkside（https対応しました）

　電極とＦＥＴに、ハンダメッキを施す。

　ＦＥＴは、前回に引き続き IPT004N03LATMA1 である。
・実装困難なパッケージ形状ではない。
・高性能。
・５Ｖでゲートドライブ可能。

　５Ｖ系マイコンでゲートを直接制御する訳ではないが、ゲートドライブを５Ｖで可能でないと困る。ハイサイドのゲートドライブを簡易化するためだ。
　ラジコンバッテリーの電圧は９Ｖ以上にならないので、５Ｖドライブ可能なゲートは特別なハイサイド回路を組むことなく１５Ｖでドライブできる。

　高性能なＦＥＴの多くはゲート耐圧が２０Ｖしかないので、マージンまで考慮すると５Ｖドライブ可能でないと安心できない。

　大電流に対応できる電極は熱容量も大きくなるので、ハンダ付けの難易度が高い。

　新たにハンダ付けを行おうとすると、先にハンダ付けを済ませた部分まで溶け落ちるのだ。だからと言って加熱が甘いと、ハンダ付け不良になる。熱容量が大きいぶん、しっかり加熱しないと正常にハンダ付けできず、でもそれでハンダ付け済みのパーツが・・・
　よって大きな加熱が必要なドレインから順にハンダ付けしたいのだが、それでは全体を組んだときに位置が合わなくなりがちだ。

　ゲート端子が他と短絡しないよう、ＦＥＴのソース＆ドレイン側は正確な位置にハンｄナ付けせねばならない。また、全体の横幅には実装空間の厳しい制限がある。
　更に、放熱を効果的に行うため、底面は平面が出ていなければならない。
　このハンダ付けは、見た目より遥かに難しい。

　組み立てた後も、平面を出すため再加熱で溶かし直したりして微調整する。

　強度を確認すれば、ハンダ付け不良になっていないことは分かる。
　ゲート端子が短絡していないことも、この段階で確認しておく。

　銅板とＦＥＴの隙間があると、ハンダによる余分な抵抗が増える。
　せっかく高性能なＦＥＴを使用しても、ＥＳＣの内部抵抗が増大していたりする。ＦＥＴの内部抵抗が１ミリΩを遥かに下回っているので、大きな問題だ。